חברת SK hynix ממשיכה לבסס את מעמדה כחלוצה בתחום זיכרונות ה-High Bandwidth Memory, עם הודעה על השלמת הפיתוח של HBM4 – הדור הבא של זיכרונות מהירים במיוחד למערכות AI – ותחילת ההכנות לייצור המוני. מדובר בשבב HBM4 הראשון בעולם שמוכן לייצור בקנה מידה תעשייתי, מהלך שמשקף את הביקוש ההולך וגובר לטכנולוגיות עיבוד עתירות נתונים.
החברה הדרום־קוריאנית, שכבר הובילה בעבר את תחום ה-HBM3 וה-HBM3E, מתארת את הדגם החדש כקפיצת מדרגה של ממש: קצב העברת הנתונים בשבב מגיע ליותר מ־10 גיגה־ביט לשנייה – מעל הסטנדרט של JEDEC – והוא כולל 2,048 ערוצי I/O, כפול מהדור הקודם. התוצאה היא רוחב פס גבוה יותר, שמתאים ליישומים עתירי עיבוד כמו מודלים גנרטיביים, שרתי ענן ומערכות למידת מכונה.
אבל מעבר למהירות, ב-SK hynix מדגישים דווקא את היעילות: השבב החדש מספק שיפור של כ־40% בצריכת החשמל לעומת HBM3E. בחברה מעריכים שהשדרוג יכול להוביל לעלייה של כמעט 70% בביצועים הכוללים של מערכות מבוססות AI – הישג משמעותי בהתחשב באתגרים התרמיים והאנרגטיים שמולם ניצבים כיום מרכזי נתונים.
כדי להתמודד עם המורכבות ההנדסית שבאריזת 12 שכבות זיכרון אחת מעל השנייה, החברה עושה שימוש בתהליך מתקדם בשם MR-MUF – טכנולוגיית מילוי בין שכבות (molded underfill) שמפחיתה עיוותים מכניים ומשפרת את פיזור החום. בנוסף, ייצור השבב מבוצע בטכנולוגיית DRAM מהדור הבא, שמוגדרת כ-“1bnm”, ומאפשרת מזעור נוסף בצריכת שטח וכוח.
הייצור ההמוני צפוי להתחיל כבר במחצית השנייה של 2025, כאשר לקוחות מרכזיים – כולל NVIDIA – כבר החלו לקבל דגמים ראשוניים מוקדם יותר השנה. לפי נתוני השוק, SK hynix מחזיקה כיום בכמחצית מנתח שוק ה-HBM העולמי, ותחרות צמודה מתנהלת בינה לבין Samsung ומיקרון על הדומיננטיות בדור הבא של זיכרונות מהירים.
הידיעה מבוססת על הודעה רשמית של SK hynix, 12 בספטמבר 2025
לידיעה המקורית
