חברת Infineon Technologies הכריזה על מודול הספק חדש מסוג quad-phase הכולל אינדוקטור TLVR (trans-inductor voltage regulator), המיועד להתמודד עם דרישות ההספק הגוברות של מרכזי נתונים מבוססי AI.
המודול החדש, TDM24745T מסדרת OptiMOS™, משלב ארבע דרגות הספק, אינדוקטור TLVR וקבלי decoupling במארז קומפקטי בגודל 9×10×5 מ"מ. הפתרון מציג צפיפות זרם הגבוהה מ־2 A/mm², ומספק ביצועי transient מתקדמים לתמיכה במסילות ליבה עתירות זרם של מעבדי GPU ומאיצי AI, הן בארכיטקטורות הספק אופקיות והן אנכיות.
לדברי Athar Zaidi, סגן נשיא בכיר ומנהל חטיבת Power ICs and Connectivity ב-Infineon, “עם ההתרחבות המואצת של עומסי העבודה ב-AI, הצורך בפתרונות הספק קומפקטיים ויעילים מעולם לא היה גבוה יותר. המודול החדש מאפשר לשפר ביצועים חישוביים, להפחית צריכת אנרגיה ולהאיץ פריסת מרכזי נתונים לדור הבא של AI.”
ה-TDM24745T תוכנן לפשט את ארכיטקטורת אספקת הכוח, לאפשר צפיפות הספק גבוהה יותר ולפנות שטח על גבי ה-PCB לטובת משאבי חישוב נוספים. בנוסף, ארכיטקטורת TLVR מאפשרת הפחתה של עד 50% בקיבול היציאה הנדרש, ובכך תורמת לחיסכון במקום ולשיפור היעילות הכוללת של המערכת.
המודול מספק זרם שיא של עד 320A ומתאים במיוחד למעבדי AI מהדור הבא ולמערכות מרובות מעבדים. בשילוב עם בקרי multiphase דיגיטליים של החברה, הוא מאפשר ארכיטקטורות גמישות וסקיילביליות להאצת פריסת מערכות AI.
הפתרון מבוסס על טכנולוגיית OptiMOS-6 MOSFET, אינטגרציה ברמת השבב ומגנטיקה ייעודית, המסייעות לשיפור היעילות והביצועים התרמיים גם בצפיפות גבוהה במיוחד.
המודול משתלב באקו־סיסטם הכולל של Infineon לאספקת כוח לשרתי AI, הכולל פתרונות מבוססי סיליקון (Si), סיליקון קרביד (SiC) וגליום ניטריד (GaN), במטרה לספק יעילות גבוהה, אמינות וצפיפות הספק למרכזי נתונים מהדור הבא.
