FIG6 פורסם ע"י New-Tech Magazine on פברואר 2, 2012 530 × 384®eGaN לעומת FET- סיליקון SHOOTOUT מס’ 6: ממיר POE – PSE איור 6. השוואת נצילות בין ממירי PSE מטיפוס חצי לבנה. ההשוואה בין אבטיפוס eGaN מבוסס FET לעומת ממיר D – פיתרון מסחרי מבוסס MOSFET. ← קודם הבא →