FIG8 פורסם ע"י New-Tech Magazine on פברואר 2, 2012 537 × 369®eGaN לעומת FET- סיליקון SHOOTOUT מס’ 6: ממיר POE – PSE איור 9. השוואה של אובדן הספק, בין ממירי PSE מטיפוס חצי לבנה, המראה אבטיפוס eGaN מבוסס FET לעומת ממיר B. ← קודם הבא →