table1 פורסם ע"י New-Tech Magazine on פברואר 2, 2012 800 × 189®eGaN לעומת FET- סיליקון SHOOTOUT מס’ 6: ממיר POE – PSE טבלה 1: השוואה של ממירים מסחריים PSE מטיפוס חצי לבנה ממיר A – E אבטיפוס eGaN מבוסס FET מתח מוצא V)) / הספק W)) מספר שלבי ההמרה ממירים מקבילים לפי מספר שלבים תדר במיפרט הנתונים (kHz) תדר מיתוג של ההתקן (kHz) אדוות מוצא (kHz) ← קודם הבא →