חברת Power Integrations הכריזה על טכנולוגיית GaN (Gallium Nitride) ראשונה בעולם במתח של עד 2,200 וולט, המרחיבה משמעותית את טווח המתחים של רכיבי GaN הזמינים כיום בשוק. לדברי החברה, טכנולוגיית PowiGaN™ החדשה מיועדת ליישומים עתידיים במרכזי נתונים לבינה מלאכותית, כלי רכב חשמליים, מערכות אנרגיה מתחדשת ותשתיות HVDC (הולכת זרם ישר במתח גבוה).
החברה מציינת כי הטכנולוגיה החדשה מספקת מרווח מתח המתאים לארכיטקטורות הספק עתידיות, תוך שמירה על יתרונות ה־GaN, ובהם תדרי מיתוג גבוהים, צפיפות הספק גבוהה ויעילות משופרת. בין היישומים האפשריים נמנים מרכזי נתונים המבוססים על ארכיטקטורת אספקת מתח של 1,500 וולט, מערכות סוללה ומערכות עזר בכלי רכב חשמליים, ממירים פוטו־וולטאיים ומערכות אגירת אנרגיה.
לדברי החברה, רכיבי GaN מחליפים בהדרגה טרנזיסטורי סיליקון במערכות המרת הספק בזכות יעילותם הגבוהה. עם זאת, יישומי מתח גבוה הסתמכו עד כה בעיקר על רכיבי סיליקון קרביד (SiC) או על שילוב של מספר רכיבי GaN במבנה מורכב. טכנולוגיית ה־2,200 וולט החדשה נועדה להרחיב את השימוש ב־GaN גם ליישומים אלה.
קרדיט: Power Integrations
