הרכיב במתח 650 וולט ובמארז 8×8 מ״מ מיועד לשלב המרת ההספק במערכות מרכזי נתונים המבוססות על ארכיטקטורת 800VDC.
Renesas החלה לספק דוגמאות של טרנזיסטור GaN חדש ליצרני ציוד למרכזי נתונים. הרכיב, TP65H020G4PLSGBD, מציע התנגדות הולכה של 20 מיליאוהם במארז PQFN בגודל 8×8 מ״מ, המאפשר פינוי חום משני צדדיו. הוא מיועד לתכנון שלבי המרת הספק צפופים בארכיטקטורות הזנה של 800 וולט בזרם ישר.
עם העלייה בצריכת ההספק של ארונות מחשוב AI, מהנדסי ההספק נדרשים להעביר זרמים גבוהים יותר בשטח מוגבל ולפנות את החום שנוצר בממיר. לפי Renesas, שטח המארז החדש קטן ב־57% מזה של מארז TOLT בגודל 10×15 מ״מ, ומבנהו מפחית ב־10% את העכבה התרמית במסלול הקירור העליון.
הרכיב מיועד בין היתר לשלב ההמרה מאפיק מתח גבוה ל־48, 12 או 6 וולט, וכן למערכות גיבוי ההספק של ארון השרתים. Renesas הציגה תכנון ייחוס של ממיר LLC בהספק 6 קילוואט, הממיר 800 וולט ל־48 וולט ומשלב את הרכיב החדש עם מיקרו־בקר RA6T3. במדידות שערכה החברה בתכנון הייחוס התקבלה צפיפות הספק של 2.6 קילוואט לאינץ׳ מעוקב.
הרכיב זמין כעת כדוגמאות לצורכי הערכה ושילוב בתכנון, בעוד שתחילת הייצור הסדרתי מתוכננת לאמצע 2027. המעבר למארז קטן עם קירור דו־צדדי נותן למתכנני מערכות ההספק דרך נוספת להתמודד עם מגבלות המקום והחום בתשתיות AI עתירות הספק.
מקור: הודעת Renesas, 30.9.2026
