SolarEdge תוביל את תכנון מפסק ה-SSCB, המבוסס על רכיבי CoolSiC JFET של אינפיניאון. המפסק מיועד לבודד תקלות בתוך מיקרו-שניות ולסגור את פער ההגנה בין שנאי המצב המוצק לבין ארונות המחשוב
SolarEdge ואינפיניאון (Infineon Technologies) מרחיבות את שיתוף הפעולה ביניהן לפיתוח טכנולוגיית מפסקי מצב מוצק, Solid-State Circuit Breaker או SSCB, עבור מערכות חלוקת מתח ישר של 800 וולט במרכזי נתונים ל-AI ובמרכזי נתונים hyperscale.
במסגרת שיתוף הפעולה תוביל SolarEdge את תכנון פתרון ה-SSCB, ואינפיניאון תספק את טכנולוגיית ה-CoolSiC JFET מסיליקון קרביד שתעמוד בבסיס התקני ההגנה. החברות מבקשות לתת מענה לאחד האתגרים המרכזיים בדרך להטמעת ארכיטקטורות 800VDC: בידוד מהיר וסלקטיבי של תקלות במערכות שבהן צפיפות ההספק ממשיכה לעלות.
המעבר לחלוקת הספק במתח ישר גבוה עשוי לצמצם את מספר שלבי ההמרה ולתמוך בהעברת הספקים גבוהים יותר אל ארונות המחשוב. לצד היתרונות האלה, הגנה על רשת DC מציבה קושי הנדסי שונה מזה של מערכת זרם חילופין. בזרם ישר אין נקודת אפס טבעית שבה הזרם יורד לאפס בכל מחזור, ולכן ניתוק מכני של תקלה עלול להיות איטי יותר ולהתמודד עם היווצרות קשת חשמלית.
מפסקי מצב מוצק אינם כוללים מגעים מכניים שיש להפריד בעת תקלה. לפי החברות, פתרון ה-SSCB שהן מפתחות מיועד לקטוע תקלות בתוך מיקרו-שניות, סדרי גודל מהר יותר ממפסקים אלקטרומכניים. תגובה מהירה כזאת נועדה להגן על ציוד מחשוב יקר ולאפשר סלקטיביות, כלומר לבודד את האזור התקול בלי לנתק חלקים נוספים ממערכת חלוקת ההספק.
השימוש ברכיבי SiC JFET נועד לשלב בין מהירות המיתוג הנדרשת בזמן תקלה לבין הפסדי הולכה נמוכים במהלך הפעולה השוטפת. איזון זה חשוב במיוחד במרכזי נתונים, שבהם התקן ההגנה פועל ברציפות בתוך נתיב הספק גבוה, ולכן גם הפסדים קטנים עשויים להשפיע על היעילות ועל התכנון התרמי של המערכת.
המהלך מרחיב שיתוף פעולה קודם בין החברות, שהוכרז בנובמבר 2025 ומתמקד בפלטפורמת שנאי מצב מוצק, Solid-State Transformer או SST, של SolarEdge. הפלטפורמה, המבוססת על רכיבי SiC של אינפיניאון, נועדה לבצע המרה ישירה מחיבור רשת במתח בינוני של 13.8 עד 34.5 קילו-וולט למתח ישר של 800 עד 1,500 וולט.
לפי החברות, פלטפורמת ה-SST מתוכננת להשיג יעילות של יותר מ-99% ולצמצם כמה שלבי המרה לפתרון אחד בעל שטח התקנה קטן יותר. בהודעה הנוכחית לא נמסרו תוצאות אימות, פרטים על פריסה אצל לקוח או מועד לזמינות מסחרית של ה-SST או של מפסק ה-SSCB.
הרחבת שיתוף הפעולה לתחום ההגנה משלימה שכבה נוספת בארכיטקטורה שמפתחת SolarEdge עבור מרכזי נתונים ל-AI. הארכיטקטורה אמורה להעביר את ההספק מחיבור הרשת במתח בינוני, דרך שלבי ההמרה והחלוקה, ועד לארון המחשוב, כאשר מפסקי ה-SSCB ממוקמים בשכבת החלוקה שבין ה-SST לבין ה-rack.
"תשתיות AI בצפיפות גבוהה הפועלות ב-800VDC דורשות יעילות והגנה ללא פשרות", אמר שוקי ניר, מנכ"ל SolarEdge. "הגנת מצב מוצק תאפשר למפעילים להשיג את שתיהן, באמצעות בידוד תקלות מהיר ואמין מבלי לפגוע בביצועי ההמרה. טכנולוגיית הסיליקון קרביד של אינפיניאון היא שהופכת זאת למעשי בקנה מידה רחב".
לדברי אנדראס וייסל, סגן נשיא בכיר ומנהל המכירות הראשי לתחומי התעשייה והתשתיות באינפיניאון, תשתיות נתונים נעשות פגיעות יותר לתקלות חשמליות, והדבר מגביר את הביקוש למערכות חלוקת הספק מהירות ועמידות יותר. "באמצעות שילוב טכנולוגיית ה-SiC JFET המתקדמת שלנו עם המומחיות של SolarEdge בחלוקת ההספק הסופית, אנו נותנים מענה לדרישות האלה כדי לאפשר פעילות מהירה, בטוחה ואמינה במרכזי נתונים ל-AI", אמר.
החברות לא מסרו מפרט מלא של מפסק ה-SSCB, לוח זמנים להשלמת הפיתוח או פרטים על ניסויים ולקוחות. לפיכך, ההכרזה משקפת הרחבה של שיתוף הפעולה הטכנולוגי ופיתוח ארכיטקטורת הגנה, ולא השקה של מוצר מסחרי או פריסה במרכז נתונים.
בתמונה: שוקי ניר, מנכ"ל SolarEdge
קרדיט: Infineon Technologies ו-SolarEdge
