FIG3 פורסם ע"י New-Tech Magazine on פברואר 2, 2012 532 × 361®eGaN לעומת FET- סיליקון SHOOTOUT מס’ 6: ממיר POE – PSE איור 3. נתוני נצילות בממיר PSE חצי לבנה, אבטיפוס של eGaN המבוסס על FET, מראים את תוצאות ההפעלה החד שלבית (מחצית הממיר בהספק מופחת) והדו שלבית גם יחד ← קודם הבא →