FIG4 פורסם ע"י New-Tech Magazine on פברואר 2, 2012 781 × 536®eGaN לעומת FET- סיליקון SHOOTOUT מס’ 6: ממיר POE – PSE איור 4. סכמה מפושטת של ממיר עבור 700 W בתדר מיתוג של 250 kHz, מבוסס eGaN, מטיפוס שמינית לבנה, במתח 38V – 60V ל-53V. ← קודם הבא →