ARM ו-TSMC מכריזות על שיתוף פעולה למיטוב הדור הבא של מעבדי ARM ב-64 ביט עבור טכנולוגיית התהליך FinFET. ההסכם הרב שנתי מניע התאמה של מעבדי הדור הבא, IP פיסי וטכנולוגיית תהליך לשימוש בשוקי הניידים עתירי הביצועים והחסכוניים באנרגיה ובשווקים הארגוניים.ARM, מובילה בפיתוח פתרונות IP (קניין רוחני) טכנולוגיים לתעשיית האלקטרוניקה, וTSMC-, הכריזו על הסכם רב שנתי המרחיב את שיתוף הפעולה שלהן מעבר לטכנולוגיית ה-20 ננומטר. ההחלטה על שיתוף הפעולה באה במטרה לספק מעבדי ARM על טרנזיסטורי FinFET, מה שיאפשר לתעשיית הפאבלס (חברות מפתחות ללא מפעל ייצור) להרחיב את מיצובה כמובילה בשוק מעבדי היישומים. שיתוף הפעולה ימטב את הדור הבא של מעבדי ARM ב-64 ביט על בסיס ארכיטקטורת ARMv8, על הקניין הרוחני הפיסי (IP) ARM Artisan® ועל טכנולוגיית התהליך FinFET של TSMC לצורך שימוש בשווקים הארגוניים ובשוקי הניידים המצריכים הן רמת ביצועים גבוהה והן שיפור של נצילות האנרגיה.
העבודה המשותפת של שתי החברות תאפשר שיתוף במידע טכני ובמתן משוב שישפרו את הפיתוח הן של ARM IP והן של טכנולוגיית התהליך של TSMC. חברת ARM תמנף נתוני תהליך כדי למטב את ההספק, הביצועים והשטח (PPA) של הפתרון הכולל במטרה להקטין סיכונים ולעודד אימוץ מוקדם. חברת TSMC תשתמש בטכנולוגיה ובמעבדים החדשים של ARM כדי למדוד ולשפר את טכנולוגיות תהליך FinFET המתקדמות שלה. השילוב של טכנולוגיית FinFET של TSMC ושל ארכיטקטורת ARMv8 מספק לתעשיית הפאבלס פתרונות להגברת החדשנות בקשת רחבה של מגזרים בשוק. שיתוף הפעולה יוביל לשיפור תהליך הסיליקון, ה-IP הפיסי וטכנולוגיית התהליך, שיאפשרו יחדיו חדשנות בתחום המערכות על-גבי שבב (SoC) וקיצור זמן היציאה לשוק.
“העבודה המשותפת וההדוקה עם TSMC מאפשרת לנו למנף את היכולת של TSMC להגביר במהירות את נפח הייצור של SoCs משולבות ביותר בטכנולוגיית תהליך סיליקון מתקדמת”, אומר סיימון סיגרס, סגן נשיא בכיר ומנכ”ל חטיבות מעבדים ו-IP פיסי ב-ARM. “שיתוף הפעולה המתמשך והנרחב עם TSMC מספק ללקוחות גישה מוקדמת לטכנולוגיית FinFET במטרה להביא אל השוק מוצרים עתירי ביצועים וחסכוניים באנרגיה”.
