פלטפורמת ייצור השבבים החדשה צפויה לאפשר שיפור של 40% בביצועי המחשוב,
ירידה של 30% בצריכת ההספק, ועלייה של 100% בתוחלת חיי הסוללה במצב המתנה
בתערוכת ה-Mobile World Congress 2010 חשפו, GLOBALFOUNDRIES, יצרנית מוליכים למחצה ו-ARM, מובילה בפיתוח פתרונות IP טכנולוגיים לתעשיית האלקטרוניקה, פרטים חדשים אודות טכנולוגיית פלטפורמת ה-SoC החדשנית שלהן שמטרתה לקדם את הדור הבא של יישומי ומוצרי אלחוט. פלטפורמת ייצור השבבים החדשה צפויה לאפשר שיפור של 40% בביצועי המחשוב, ירידה של 30% בצריכת ההספק, ועלייה של 100% בתוחלת חיי הסוללה במצב המתנה. הפלטפורמה החדשה כוללת שיתוף פעולה על שתי גרסאות של תהליך של GLOBALFOUNDRIES: SLP
(super low power) ב-28 ננומטר עבור יישומי צריכה ויישומים ניידים, וביצועים גבוהים (HP) ב-28 ננומטר עבור יישומים המצריכים ביצועים מיטביים.
פלטפורמת ה-SoC של ARM ו- GLOBALFOUNDRIES מבוססת על מעבד ה-ARM® Cortex™-A9, על IP פיסי של ARM שעבר התאמה, ועל תהליך Gate-First High-K Metal Gate (HKMG) של 28 ננומטר מבית GLOBALFOUNDRIES. יחד, שתי החברות יאפשרו ליצרניות של התקנים משובצים כדוגמת טלפונים חכמים, מחשבי לוח (tablets), smartbooks והתקנים נוספים להתמודד עם המורכבות ההולכת וגדלה של התכנונים ושל הייצור, ובמקביל לקצר את הזמן עד לייצור בהיקפים גבוהים ובתפוקות בשלות ומוכחות.
מאחר והשוק של מוצרים ניידים “חכמים” ממשיך לגדול בקצב מואץ, קיים צורך ברור בהגדלת הביצועים כדי להמשיך ולהציע חדשנות בתחום היישומים הניידים. תהליך ה-28 ננומטר של GLOBALFOUNDRIES עם טכנולוגיית
ה-Gate-First HKMG מספק שיפור ניכר בביצועים בהשוואה לטכנולוגיות של 40/45 ננומטר של הדורות הקודמים. ההערכות הקיימות היום מראות שתהליך 28 ננומטר עם HKMG יספק שיפור של כ-40% בביצועים בתוך אותה מעטפת טרמית, ויספק ביצועי יישום משופרים ויכולות עשירות של ריבוי-משימות על התקנים ניידים.
בנוסף, שיפורים בנצילות ההספק הינם חיוניים עם כל דור חדש של טכנולוגיה, על-מנת לספק זמן המתנה/שיחה ממושך יותר, פלייבק של מולטימדיה, גרפיקה ומשחקים אינטראקטיביים. היתרונות המשולבים של ה-IP של ARM ותהליך
HKMG על 28 ננומטר של GLOBALFOUNDRIES מאפשרים הפחתה של עד 30% בצריכת ההספק ועלייה של 100% בתוחלת חיי הסוללה במצב המתנה בהשוואה לתהליכי ה-40/45 ננומטר.
“המעבר לצומת הטכנולוגי של 28 ננומטר יהיה נקודת מפנה חשובה עבור טכנולוגיית האלחוט”, אומר נשיא ARM, טיודור בראון. “שיתוף הפעולה שלנו עם GLOBALFOUNDRIES יאפשר ללקוחות להוציא לשוק במהירות תכנונים דלי הספק בעלי רמות ביצועים גבוהות המבוססים על טכנולוגיית ARM ועל טכנולוגיית 28 ננומטר עם טכנולוגיית HKMG, המוכנה לקראת יישומים בהיקפים גבוהים. השילוב של טכנולוגיית GLOBALFOUNDRIES עם פתרונות ה-IP הפיסי המובילים שלנו, ועם מלוא יכולות האינטרנט שמספקים מעבדי ARM יוביל לאינטגרציה רבת עצמה של יכולות עיבוד, גרפיקה ונצילות הספק”.
